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更新時(shí)間:2017-11-08
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磁阻效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀 型號(hào);DP-FD-MR-II
磁阻器件由于靈敏度、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)在業(yè)、交通、儀器儀表、療器械、探礦等域應(yīng)用十分廣泛,如:數(shù)字式羅盤、交通車輛檢測,導(dǎo)航系統(tǒng)、wei鈔檢測、位置測量等。其中zui典型的銻化銦( InSb)傳感器是種價(jià)格低廉、靈敏度的磁電阻,有著十分重要的應(yīng)用價(jià)值。
本實(shí)驗(yàn)裝置結(jié)構(gòu)簡單、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容豐富,使用兩種材料的傳感器:利用砷化鎵( GaAs)霍耳傳感器測量磁感應(yīng)強(qiáng)度,研究銻化銦(InSb)磁阻傳感器在不同的磁感應(yīng)強(qiáng)度下的電阻大小。學(xué)生可觀測半導(dǎo)體的霍耳效應(yīng)和磁阻效應(yīng)兩種物理規(guī)律,具有研究性和性實(shí)驗(yàn)的特點(diǎn)。
該儀器可用于理科大學(xué)的基礎(chǔ)物理實(shí)驗(yàn)和性綜合物理實(shí)驗(yàn),也可用于演示實(shí)驗(yàn)。
應(yīng)用本實(shí)驗(yàn)儀可以成以下實(shí)驗(yàn):
1.用于測定通過電磁鐵的電流和磁鐵間隙中磁感應(yīng)強(qiáng)度的關(guān)系,觀測砷化鎵(GaAs)霍耳元件的霍耳效應(yīng)。
2.用于測定銻化銦(InSb)磁阻元件電阻大小磁感應(yīng)強(qiáng)度的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
3.研究銻化銦(InSb)磁阻元件在不同磁感應(yīng)強(qiáng)度區(qū)域的電阻值變化與磁感應(yīng)強(qiáng)度的關(guān)系,行曲線擬合,求出磁阻元件電阻與磁感應(yīng)強(qiáng)度關(guān)系的經(jīng)驗(yàn)公式。
4.外接信號(hào)發(fā)生器,深入研究磁電阻的交流特性(倍頻效應(yīng)),觀測其的物理現(xiàn)象(選做)。
儀器主要參數(shù):
1.雙路直流電源
電流范圍 0-500mA 連續(xù)可調(diào),數(shù)字電流表顯示大小。
電流范圍 0-3mA 連續(xù)可調(diào),供傳感器的作電流。
2.數(shù)字式毫特計(jì)
測量范圍 0-0.5T,分辨率0.0001T,準(zhǔn)確率為1%。